產業訊息
經濟日報 2016-09-02
台積牽手瑞薩 攻車用控制器
上揚工業廠房土地不動產 轉載~~
台積電（2330）昨（1 ）日宣布，與日本半導體大廠瑞薩合作開發28奈米嵌入式快閃記憶體（eFlash）技術，以支援應用在新世代環保和自動駕駛所需的微控制器（MCU）。
相關產品將是首顆採用台積電28奈米製程的車用MCU，預定明年送樣，2020年量產。這項合作案，將讓台積電向智能汽車布局，再跨一大步。
台積電表示，與瑞薩自90奈米製程就開始密切合作開發內建快閃記憶體的MCU產品。雙方在40奈米MCU平台與生產合作四年後，再投入應用於環保車和自動駕駛車用的28奈米製程MCU。
台積電強調，瑞薩具備高可靠性及高速優勢的金屬氧化氮氧化矽（MONOS）eFlash技術，這次雙方合作，將結合台積電高效能、低功耗的28奈米高介電層金屬閘（HKMG）製程技術，生產全球頂尖的車用MCU，應用在自動駕駛車的感測器控制、電子控制單元間的協調控制、環保汽車的高效率燃油引擎控制、以及電動車的高效率馬達變頻器控制。
為了滿足未來自動駕駛車對於高效能與安全性的嚴格要求，台積電表示，新世代MCU，利用3D雷達監測車輛四周環境，以高精度的感測功能，同時可整合多個感測器的資料，並且具備自動駕駛操作時所需的即時判斷處理能力。
另外，也能提供自動駕駛功能所需快速處理複雜的控制任務，提高汽車整體系統的能源效率及功能安全性。
台積電預期，除了自動駕駛車用控制外，這項新的MCU，透過此項合作所開發的28奈米eFlash製程技術, 讓內建的程式記憶體容量可比目前的40奈米技術多出四倍以上，將廣泛應用在工業4.0領域。
台積電業務開發副總經理金平中表示，和瑞薩合作，證明台積電可以提供具有競爭力的技術，為客戶產品創造最大價值。
台積電（2330）昨（1 ）日宣布，與日本半導體大廠瑞薩合作開發28奈米嵌入式快閃記憶體（eFlash）技術，以支援應用在新世代環保和自動駕駛所需的微控制器（MCU）。
相關產品將是首顆採用台積電28奈米製程的車用MCU，預定明年送樣，2020年量產。這項合作案，將讓台積電向智能汽車布局，再跨一大步。
台積電表示，與瑞薩自90奈米製程就開始密切合作開發內建快閃記憶體的MCU產品。雙方在40奈米MCU平台與生產合作四年後，再投入應用於環保車和自動駕駛車用的28奈米製程MCU。
台積電強調，瑞薩具備高可靠性及高速優勢的金屬氧化氮氧化矽（MONOS）eFlash技術，這次雙方合作，將結合台積電高效能、低功耗的28奈米高介電層金屬閘（HKMG）製程技術，生產全球頂尖的車用MCU，應用在自動駕駛車的感測器控制、電子控制單元間的協調控制、環保汽車的高效率燃油引擎控制、以及電動車的高效率馬達變頻器控制。
為了滿足未來自動駕駛車對於高效能與安全性的嚴格要求，台積電表示，新世代MCU，利用3D雷達監測車輛四周環境，以高精度的感測功能，同時可整合多個感測器的資料，並且具備自動駕駛操作時所需的即時判斷處理能力。
另外，也能提供自動駕駛功能所需快速處理複雜的控制任務，提高汽車整體系統的能源效率及功能安全性。
台積電預期，除了自動駕駛車用控制外，這項新的MCU，透過此項合作所開發的28奈米eFlash製程技術, 讓內建的程式記憶體容量可比目前的40奈米技術多出四倍以上，將廣泛應用在工業4.0領域。
台積電業務開發副總經理金平中表示，和瑞薩合作，證明台積電可以提供具有競爭力的技術，為客戶產品創造最大價值。
2013年12月30日 週一 下午17: 24
