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經濟日報 2022-02-11

旺宏搶3D NAND商機 跑最快

威騰、鎧俠的兩座生產3D儲存型快閃記憶體(3D NAND Flash)廠房發生部分物料汙染事件,震驚市場。

業界指出,3D NAND晶片具有最高密度及最低製造成本優勢,市場需求爆發,台廠目前以旺宏(2337)在3D NAND領域跑最快,已有多款自研晶片量產,大咬3D NAND商機。

旺宏董事長吳敏求指出,記憶體需求將持續擴大,市場成長性強,預期3D NAND晶片將取代DRAM,成為市場主流,同時,技術創新也會持續擴大旺宏另一項主力產品編碼型快閃記憶體(NOR Flash)的應用。

吳敏求分析,人工智慧(AI)、邊緣運算、5G及汽車電子將帶動大數據洪流,對記憶體需求增多。目前記憶體市場以DRAM為大宗,3D NAND晶片擁有最高密度及最低製造成本,預期未來可能成為記憶體市場新主流。

旺宏看好3D NAND晶片後市,積極投入自主晶片研發,去年第4季開始小量生產48層3D NAND晶片,主要供應日系大客戶,以32/64Gb規格進入市場,月產能從5,000片逐步拉升,目前良率表現佳,96層產品預計今年底小量生產,192層預計最快2023年問世。

另外,由於3D NAND研發有不錯的成果,旺宏去年7月的董事會也通過,預計投入415億元擴產Fab 5B,生產3D NAND產品,快則二至三年完成支出,就層數來看,產能可較5A擴增一倍,但技術跳了兩個世代,新產能預計 2023年貢獻營收。

業界指出,3D NAND晶片,顧名思義,就是以立體堆疊方式組成。

如果將普通NAND晶片比喻成平房,那麼3D NAND就是高樓大廈,同樣的面積,容量卻可以變大很多,理論上可以無限堆疊,這使得3D NAND晶片的單位面積存儲容量可比2D NAND晶片很多,更具備優勢。

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