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經濟日報 2025-05-02

英特爾攜聯電衝12奈米 跨步 預計明年完成製程開發、通過驗證

英特爾與聯電共同開發12奈米FinFET製程技術,預計2026年完成製程開發並通過驗證,2027年量產,以美國產能搶占相關應用商機。

聯電表示,12奈米製程產品應用整體市場規模在2028年有望超過200億美元,在高速傳輸、Wi-Fi/藍牙,以及數位電視/機上盒等應用產品的導入速度會較快。

聯電與英特爾2024年初宣布攜手開發12奈米製程平台技術,將利用英特爾美國亞利桑那廠產能生產。

英特爾提到,部分應用產品中的IC,透過成熟製程供應,是雙方共同開發12奈米製程平台希望進軍的目標領域。目前全球11/12/14/16奈米製程相關產能大約有三分之二位於亞太區,增加美國產能也符合地域多樣性的選擇。

聯電指出,12奈米FinFET製程在多個高成長領域應用發展深具潛力,包括高效能運算應用當中的高速傳輸、無線傳輸應用中的Wi-Fi/藍牙產品,以及消費、工業與醫療應用中的數位電視/機上盒,有望較快採用12奈米製程,另外也有機會應用於車用、太空與國防領域。

聯電指出,根據早期客戶的回饋,聯電與英特爾共同開發的12奈米製程平台,與原本聯電的22uLP平台相較,效能提升28%,功耗降低47%,IC面積明顯縮小。

聯電在最近公布的營業報告書中提及,雙方合作的12奈米平台順利推進,可為客戶提供先進技術藍圖,並在特殊製程開發中鞏固市場領先地位,避開產能過剩壓力。聯電強調,與英特爾合作開發12奈米FinFET製程,是追求成本效益、產能擴張及技術升級的重要策略,客戶看好12奈米製程性能極具競爭力,這項合作將協助客戶升級至關鍵技術節點,並提升北美市場供應鏈韌性。


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奈米製程  #高速傳輸  #供應鏈 


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